美光開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存,2月27日訊,美光科技2月26日宣布開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存。美光稱(chēng),其HBM3E的功耗將比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品低30%。美光的HBM3E將應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI芯片H200TensorCoreGPU。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
掃碼下載
免費(fèi)看價(jià)格